As memorias NAND podem ser sub-divididas em 2 amplas categorias, SLC e MLC.

SLC é uma abreviação de 'Single-Level Cell':

As memórias SLC armazénam 1 bit em cada célula, o que permite uma maior velocidade de transferência, um consumo de energia mais eficiente e uma maior duração das células. A única desvantagem das células de "nível-único" é o preço de produção por MB, o que significa que a tecnologia SLC é utilizada em memórias de alta preformance.

MLC é uma abreviação de 'Multi-level Cell':

As memórias MLC armazénam 3 ou mais bites em cada célula. Ao armazenar mais bites por célula, as memórias Multi-nível terão uma menor velocidade de transferência, maior consumo de energia e uma menor duração das células do que em memórias SLC. A vantagem das memórias MLC é o menor preço de produção. A tecnologia flash MLC é utilizada, na maior parte dos casos, em dispositivos standard. A "Multi-Bit Cell", ou MBC, é uma tecnologia similar ao MLC, mas armazena só dois bites por célula.